微桥结构红外探测器以及制造方法

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专利状态

微桥结构红外探测器以及制造方法

有效

专利申请进度

申请

2009-09-30

申请公布

2010-12-29

授权

2013-09-25

预估到期

2029-09-30

专利基础信息

申请号	CN200910153649.6	申请日	2009-09-30
申请公布号	CN101927976A	申请公布日	2010-12-29
授权公布号	CN101927976B	授权公告日	2013-09-25
分类号	B81B7/02;B81C1/00;G01J5/10
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	浙江大立科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨康路639号

专利法律状态

2013-09-25

授权

状态信息

授权
2011-02-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/02申请日:20090930
2010-12-29

公布

状态信息

公布

摘要

一种微桥结构红外探测器，属于微机电技术领域，包括：硅衬底，作为红外探测器的读出电路；金属反射层，沉积在所述硅衬底之上；介质层，沉积于金属反射层的凹槽内，且该介质层的高度与该金属反射层的高度一致；牺牲层和用于作为释放牺牲层保护的第一释放保护层，沉积在所述介质层和金属反射层上，并光刻刻蚀形成通孔；铜或钨桥墩，沉积在牺牲层的通孔内；金属电极，沉积在铜或钨桥墩及第一释放保护层之上；敏感材料探测层，沉积在金属电极和第一释放保护层上。本发明大马士革工艺制造Cu柱微桥结构，并引入化学机械抛光工艺(CMP)可以制造出平坦化的微桥平面，有利于后续工艺，改善性能。

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