一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法

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专利状态

一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法

有效

专利申请进度

申请

2017-09-04

申请公布

2017-12-22

授权

2019-05-03

预估到期

2037-09-04

专利基础信息

申请号	CN201710784020.6	申请日	2017-09-04
申请公布号	CN107507762A	申请公布日	2017-12-22
授权公布号	CN107507762B	授权公告日	2019-05-03
分类号	H01L21/02;C23C16/34;C23C16/513
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址	江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号

专利法律状态

2019-05-03

授权

状态信息

授权
2018-01-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20170904
2017-12-22

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法，采用管式PECVD镀膜工艺对硅片进行多层镀膜，在相邻两层镀膜步骤之间增加降温增压富含氢的步骤，降温能促进氢离子的内部扩散远大于氢的外扩散，钝化效果更好，减少氢离子高温下溢出，有效增加开路电压和短路电流；由于开始反应前NH3是过量，氮的等离子体已经均匀分散在硅片表面，再进行工艺能够保证氮化硅在片内均匀沉积。

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