超结功率器件的制备方法和超结功率器件

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专利状态

超结功率器件的制备方法和超结功率器件

失效

专利申请进度

申请

2015-06-25

申请公布

2017-01-11

授权

2020-10-16

预估到期

2035-06-25

专利基础信息

申请号	CN201510359333.8	申请日	2015-06-25
申请公布号	CN106328488A	申请公布日	2017-01-11
授权公布号	CN106328488B	授权公告日	2020-10-16
分类号	H01L21/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	北大方正集团有限公司
申请人地址	北京市海淀区成府路298号方正大厦9层

专利法律状态

2023-07-07

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L21/02；申请日:20150625；授权公告日:20201016
2020-10-16

授权

状态信息

授权
2017-02-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/02；申请日:20150625
2017-01-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提出了一种超结功率器件的制备方法和超结功率器件，其中，上述制备方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在第一外延层和第二外延层内形成垂直于衬底的沟槽，沟槽的深度等于第一外延层和第二外延层的厚度之和；在第一外延层对应的沟槽内形成第三外延层，第一外延层的厚度与第三外延层的厚度一致，以形成第一级超结功率单元；在第三外延层的上方形成第四外延层，第二外延层的厚度与第四外延层的厚度一致，以形成第二级超结功率单元，进而完成超结功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，形成了兼容了两种掺杂浓度的超结结构的超结功率器件，既满足了低导通电阻的需求，同时，也满足了对电荷失衡的低敏感度的需求。

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