具有萧特基位障的薄膜晶体管

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专利状态

具有萧特基位障的薄膜晶体管

失效

专利申请进度

申请

2010-12-24

授权

2011-08-03

预估到期

2020-12-24

专利基础信息

申请号	CN201020678177.4	申请日	2010-12-24
授权公布号	CN201918431U	授权公告日	2011-08-03
分类号	H01L51/05;H01L51/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号1楼第三、四层

专利法律状态

2019-12-13

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L51/05；申请日:20101224；授权公告日:20110803；终止日期:20181224
2017-08-25

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L51/05；登记生效日:20170807；变更事项:专利权人；变更前:福建华映显示科技有限公司；变更后:华映科技（集团）股份有限公司；变更事项:地址；变更前:350015 福建省福州市马尾科技园区兴业路1号；变更后:福建省福州市马尾区儒江西路6号1楼第三、四层；变更事项:共同专利权人；变更前:中华映管股份有限公司；变更后:中华映管股份有限公司
2011-08-03

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种具有萧特基位障的薄膜晶体管，其特征在于：包含有一基板、一设置于该基板上的第一闸极导电层、一设置于该第一闸极导电层上且具有一第一导电型式的第一半导体层、设置于该第一半导体层上且互相电性隔离的一源极导电层与一汲极导电层、一设置于该源极导电层与该汲极导电层上且具有一第二导电型式的第二半导体层、以及一设置于该第二半导体层上的第二闸极导电层。该第一导电型式与该第二导电型式相反。本实用新型可利用外部电压改变薄膜晶体管的操作极性，具有更广泛的应用范围。

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