一种高稳定性氧化物TFT结构

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专利状态

一种高稳定性氧化物TFT结构

有效

专利申请进度

申请

2022-09-06

授权

2023-03-03

预估到期

2032-09-06

专利基础信息

申请号	CN202222361849.4	申请日	2022-09-06
授权公布号	CN218568843U	授权公告日	2023-03-03
分类号	H01L29/786;H01L29/45
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2023-03-03

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种高稳定性氧化物TFT结构，其基板上设有第一金属层，第一金属层包括栅极和栅极驱动线；第一金属层之上设有第一绝缘层；第一绝缘层之上设有有源层，有源层之上设置第二金属层，第二金属层包括源极、漏极，源极包括相互连接的第一中间导电层和源极金属层，漏极包括相互连接的第二中间导电层和漏极金属层；源极金属层通过第一中间导电层与有源层一端连接，漏极金属层通过第二中间导电层与有源层另一端连接；源极金属层和漏极金属层属于同一金属层，第一中间导电层和第二中间导电层属于同一金属层。本实用新型通过结构优化以减少源漏极金属离子对沟道区的扩散效果，同时氧化物TFT有源层沟道上下界面间的薄膜应力差异，从而提高器件稳定性。

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