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专利状态
一种量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-09-16
申请公布
2022-04-01
授权
2023-09-01
预估到期
2040-09-16
专利基础信息
申请号
CN202010978385.4
申请日
2020-09-16
申请公布号
CN114267801A
申请公布日
2022-04-01
授权公布号
CN114267801B
授权公告日
2023-09-01
分类号
H10K50/14;H10K50/16;H10K50/115;H10K71/00;H10K85/20
分类
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2023-09-01
授权
状态信息
授权
2022-04-01
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括:阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层,还包括:设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层包括1‑氨基芘‑二琥珀酸二酯交联的MXene功能化石墨烯复合纳米片,简写为MrGO‑AD复合纳米片。本发明设置MrGO‑AD复合纳米片界面修饰层,避免了电子传输层和量子点发光层之间的界面电荷淬灭,改善了电荷的界面传输。同时,降低了界面间的传输阻碍,避免电荷在界面积累,改善了电荷的界面传输,提高器件的发光效率。
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