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专利状态
量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-04-20
申请公布
2021-10-22
授权
2023-04-28
预估到期
2040-04-20
专利基础信息
申请号
CN202010311261.0
申请日
2020-04-20
申请公布号
CN113540367A
申请公布日
2021-10-22
授权公布号
CN113540367B
授权公告日
2023-04-28
分类号
H10K85/20;H10K50/10;H10K50/115;H10K71/00;H10K101/40N
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2023-04-28
授权
状态信息
授权
2021-10-22
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层,所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层,所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层,所述电子吸收层含有能吸收电子的材料。在空穴传输层靠近阳极的一侧设置含吸收电子的材料的电子吸收层,所以在空穴传输层和电子吸收层的界面处电子被电子吸收层吸收,同时在空穴传输层中产生等量的空穴,从而提高了空穴传输层中的载流子密度,这样可提高空穴传输层的空穴传输效率,使器件的电荷注入平衡得到改善,最终提高了器件的发光效率和寿命。
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