• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
高压集成电路及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-28
申请公布
2020-11-13
授权
2023-03-17
预估到期
2040-07-28
专利基础信息
申请号 CN202010738048.8 申请日 2020-07-28
申请公布号 CN111933640A 申请公布日 2020-11-13
授权公布号 CN111933640B 授权公告日 2023-03-17
分类号 H01L27/02;H01L27/092;H01L29/06;H01L21/8232;H01L21/8222
分类 基本电气元件;
申请人名称 杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
  • 2023-03-17
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-11-13
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了一种高压集成电路,包括:衬底;N型埋层,位于所述衬底上;外延层,位于所述衬底和所述N型埋层上;以及位于所述外延层中的高压LDMOS器件,高压岛及CMOS器件,其中,所述高压LDMOS器件,高压岛及CMOS器件之间由深槽隔离结构隔开。本发明中的高压集成电路,采用深槽隔离工艺进行横向隔离,从而减小栅锁效应,缓解感性负载工作时的负压问题。