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专利状态

CMOS图像传感器

有效

专利申请进度

申请

2019-09-23

授权

2020-06-30

预估到期

2029-09-23

专利基础信息

申请号	CN201921583171.6	申请日	2019-09-23
授权公布号	CN210897285U	授权公告日	2020-06-30
分类号	H01L27/146
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2020-06-30

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器，其中，所述CMOS图像传感器包括：转移晶体管、复位晶体管、复合晶体管；所述复合晶体管由源跟随晶体管和行选通晶体管所组成，用于实现源跟随晶体管、行选通晶体管的功能；其中，所述复合晶体管的栅极区域为两栅结构，两栅结构之间直接通过氧化层进行间隔，从而可以在节省面积的同时，提高器件的速度。

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