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专利状态

背照式图像传感器

有效

专利申请进度

申请

2017-12-27

授权

2018-09-07

预估到期

2027-12-27

专利基础信息

申请号	CN201721854424.X	申请日	2017-12-27
授权公布号	CN207834299U	授权公告日	2018-09-07
分类号	H01L27/146;H01L29/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

专利法律状态

2018-09-07

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提出一种背照式图像传感器，包括：半导体材料层；位于半导体材料层的光电二极管；转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管；其中，所述光电二极管为P型掺杂区域；所述源跟随晶体管为鳍式场效应晶体管，所述源跟随晶体管的沟道区区域为横梁结构，所述横梁结构具有顶面和两个侧面，源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面；所述源跟随晶体管为NMOS晶体管，由于通过N型掺杂区域隔离源跟随晶体管底部的P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域，降低了工艺难度，并且由于源跟随晶体管底部的P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域间距相对较大，可以有效避免两者连通，从而保证图像传感器性能。

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