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专利状态

MIM电容

有效

专利申请进度

申请

2020-12-09

授权

2022-06-17

预估到期

2030-12-09

专利基础信息

申请号	CN202022921124.7	申请日	2020-12-09
授权公布号	CN216773244U	授权公告日	2022-06-17
分类号	H01L23/64;H01L49/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2022-06-17

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种MIM电容，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分层缺陷，提高电容击穿电压，从而提高整个电容结构的可靠性，同时维持较高的电容密度，满足高性能芯片的需求。

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