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专利状态

CMOS图像传感器读出电路

有效

专利申请进度

申请

2019-11-01

授权

2020-06-30

预估到期

2029-11-01

专利基础信息

申请号	CN201921869566.2	申请日	2019-11-01
授权公布号	CN210899376U	授权公告日	2020-06-30
分类号	H04N5/374;H04N5/378
分类	电通信技术;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2020-06-30

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种CMOS图像传感器读出电路，本实用新型的CMOS图像传感器中相邻多个像素单元为子像素单元矩阵，子像素单元矩阵具有两套读出电路系统，当环境状态为第一状态时，将子像素单元矩阵合并等效为1个像素单元通过第一套读出电路系统读出，实现电荷/电压转换增益大于等于120μV/e‑；当环境状态为第二状态时，将子像素单元矩阵的多个像素单元分别独自通过第二套读出电路系统读出，实现电荷/电压转换增益小于等于100μV/e‑。本实用新型的CMOS图像传感器读出电路，可以根据环境状态灵活调整读出电路的实现方式，满足不同应用场景的不同需求，改善成像质量，提高图像传感器的整体性能。

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