半导体装置键合结构及其键合方法

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专利状态

半导体装置键合结构及其键合方法

有效

专利申请进度

申请

2014-12-29

申请公布

2016-07-27

授权

2018-11-27

预估到期

2034-12-29

专利基础信息

申请号	CN201410842378.6	申请日	2014-12-29
申请公布号	CN105810649A	申请公布日	2016-07-27
授权公布号	CN105810649B	授权公告日	2018-11-27
分类号	H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

专利法律状态

2018-11-27

授权

状态信息

授权
2016-08-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/485申请日:20141229
2016-07-27

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种半导体装置键合结构及其键合方法，所述键合结构包括：第一金属层，所述第一金属层表面具有第一焊垫，所述第一焊垫具有第一开口图案；第二金属层，所述第二金属层表面具有第二焊垫，所述第二焊垫具有第二开口图案；所述第一金属层和所述第二金属层表面键合连接，所述第一焊垫和相对应的第二焊垫上下对齐键合连接，所述第一焊垫的第一开口图案和所述第二焊垫的第二开口图案在键合接触面相互错开。

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