溢出电荷漏极图像传感器的实现方法

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专利状态

溢出电荷漏极图像传感器的实现方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-19

申请公布

2020-06-26

授权

2023-07-18

预估到期

2038-12-19

专利基础信息

申请号	CN201811556468.3	申请日	2018-12-19
申请公布号	CN111341795A	申请公布日	2020-06-26
授权公布号	CN111341795B	授权公告日	2023-07-18
分类号	H01L27/146
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2023-07-18

授权

状态信息

授权
2020-08-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/146；申请日:20181219
2020-06-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种溢出电荷漏极图像传感器的实现方法，至少有一个像素单元内的晶体管的漏极，同时作为感光二极管的溢出电荷漏极，所述感光二极管溢出势垒高度是用离子注入方式来调节的，通过抽取感光二极管中的多余电荷，避免感光二极管在收集的电荷过多时，可能会发生向邻近像素单元的感光二极管迁移的浮散过程，影响相邻像素单元的图像采集及处理，从而提高成像质量，改善图像传感器性能。

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