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专利状态
CMOS图像传感器的鳍式场效应晶体管的制作方法
有效
专利申请进度
申请
2016-06-13
申请公布
2017-12-19
授权
2021-09-17
预估到期
2036-06-13
专利基础信息
申请号 CN201610418700.1 申请日 2016-06-13
申请公布号 CN107492500A 申请公布日 2017-12-19
授权公布号 CN107492500B 授权公告日 2021-09-17
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/146
分类 基本电气元件;
申请人名称 格科微电子(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼
专利法律状态
  • 2021-09-17
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-03-01
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20160613
  • 2017-12-19
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法,包括:形成至少三个相邻的凸起结构,所述中间凸起结构定义为沟道区域,所述周边凸起结构为辅助凸起结构;填充介质层覆盖凸起结构;刻蚀所述中间凸起结构与辅助凸起结构之间的区域,形成凹槽;形成栅极氧化物层,填充多晶硅层于凹槽中,形成栅极区域。