CMOS图像传感器电源抑制比的测试系统

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专利状态

CMOS图像传感器电源抑制比的测试系统

有效

专利申请进度

申请

2019-12-19

授权

2020-11-13

预估到期

2029-12-19

专利基础信息

申请号	CN201922295474.4	申请日	2019-12-19
授权公布号	CN211930764U	授权公告日	2020-11-13
分类号	H04N17/00
分类	电通信技术;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2020-11-13

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种CMOS图像传感器电源抑制比的测试系统，包括：待测CMOS图像传感器、上位机和信号发生器；上位机，适于启动待测CMOS图像传感器进入正常工作状态，控制信号发生器输出某一频率点的交流波形信号，并抓取所述CMOS图像传感器的输出图像数据，并对所述输出图像数据分析计算，得到当前频率点的电源抑制比值；所述输出图像数据包括：所述CMOS图像传感器在无纹波噪声输入时输出的图像数据和在某一频率点交流波形输入时输出的有纹波噪声的图像数据。本实用新型提供的技术方案可以自动实现图像传感器电源抑制比的测试。

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