NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片

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专利状态

NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片

有效

专利申请进度

申请

2017-04-01

申请公布

2018-10-16

授权

2024-01-23

预估到期

2037-04-01

专利基础信息

申请号	CN201710212477.X	申请日	2017-04-01
申请公布号	CN108665927A	申请公布日	2018-10-16
授权公布号	CN108665927B	授权公告日	2024-01-23
分类号	G11C16/08
分类	信息存储;
申请人名称	兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利法律状态

2024-01-23

授权

状态信息

授权
2022-09-20

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C16/08；变更事项:申请人；变更前:北京兆易创新科技股份有限公司；变更后:兆易创新科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层；变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
2018-11-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C16/08；申请日:20170401
2018-10-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片。NAND闪存包括数据块阵列、X方向的选通电路、地址译码与高压转换电路以及可控电压源，数据块阵列中包含依次排列的2N个数据块；数据块阵列选通电路分别分布在数据块单元两侧，用于控制数据块阵列中的偶数据块或奇数据块；N个地址译码与高压转换电路位于数据块阵列旁选通电路的外侧中的一侧；每个地址译码与高压转换电路产生的高压信号和可控电压源产生的信号共同控制与地址译码与高压转换电路相邻的选通电路，以及所述高压信号在版图上横穿数据块阵列控制与地址译码与高压转换电路不相邻的选通电路。本发明实施例可以节省版图面积，提高版图利用率。

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