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专利状态

红外焦平面阵列

有效

专利申请进度

申请

2017-10-16

申请公布

2019-04-23

授权

2021-07-06

预估到期

2037-10-16

专利基础信息

申请号	CN201710970347.2	申请日	2017-10-16
申请公布号	CN109671727A	申请公布日	2019-04-23
授权公布号	CN109671727B	授权公告日	2021-07-06
分类号	H01L27/144;H01L31/0224;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	武汉高德红外股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号

专利法律状态

2021-07-06

授权

状态信息

授权
2019-05-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2019-04-23

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种红外焦平面阵列，包括覆盖有钝化膜的外延片，外延片表面设置有多个凹陷的掺杂区，外延片表面外周分布有多个公共电极，钝化膜开设有多个接触孔以及与多个凹陷的掺杂区对应的多个凸点孔；钝化膜在水平方向上由第一钝化区与第二钝化区组成，第二钝化区为与凸点孔同圆心的圆环；第一钝化区表面覆盖有第一导流电极，接触孔内填充有与第一导流电极相连通的第二导流电极；第一导流电极与第二导流电极均由金属导电材料组成。本发明的目的在于解决红外焦平面阵列边缘的像元与中间像元供电电压不同所造成的焦平面阵列画面不均匀的技术问题。

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