含像素点修正电阻结构的焦平面阵列及其制备方法

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专利状态

含像素点修正电阻结构的焦平面阵列及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2018-05-14

申请公布

2018-11-13

授权

2020-12-29

预估到期

2038-05-14

专利基础信息

申请号	CN201810454270.8	申请日	2018-05-14
申请公布号	CN108807429A	申请公布日	2018-11-13
授权公布号	CN108807429B	授权公告日	2020-12-29
分类号	H01L27/144;H01L21/82
分类	基本电气元件;
申请人名称	武汉高德红外股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号

专利法律状态

2020-12-29

授权

状态信息

授权
2020-12-25

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L 27/144；专利申请号:2018104542708；变更事项:发明人；变更前:金迎春刘斌周文洪黄立；变更后:黄立金迎春刘斌周文洪
2020-12-25

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L 27/144；专利申请号:2018104542708；登记生效日:20201211；变更事项:申请人；变更前权利人:武汉高芯科技有限公司；变更后权利人:武汉高德红外股份有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼；变更后权利人:430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号；变更事项:申请人；变更前权利人:；变更后权利人:武汉高芯科技有限公司
2018-12-07

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 27/144；专利申请号:2018104542708；申请日:20180514
2018-11-13

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种含像素点修正电阻结构的焦平面阵列及其制备方法，所述焦平面阵列包括光敏材料和读出电路，所述光敏材料上呈阵列分布有多个像素点，每一所述像素点均通过一凸点与所述读出电路连接，所述光敏材料的四周边缘处设有公共电极，每一所述像素点的pn结附近均设置有一修正电阻结构。本发明通过在每个像素点的pn结附近增加一个相应的修正电阻结构，修正电阻结构等效为与像素点的pn结串联的电阻，使得每个像素点处的电势被重新修正，提高整个阵列供电的均匀性。

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