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专利状态
用于焦平面阵列探测器的探测模块
有效
专利申请进度
申请
2017-08-31
授权
2018-05-18
预估到期
2027-08-31
专利基础信息
申请号
CN201721110198.4
申请日
2017-08-31
授权公布号
CN207379614U
授权公告日
2018-05-18
分类号
G01J5/20
分类
测量;测试;
申请人名称
武汉高德红外股份有限公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号
专利法律状态
2018-05-18
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于焦平面阵列探测器的探测模块,包括光敏衬底,连接在所述光敏衬底表面的金属单元阵列,所述金属单元阵列中的金属单元包括外部框体以及内部中空区,所述外部框体为圆框或方框,所述外部框体的前后端或左右端设置有开口,所述金属单元的表面覆盖有连接层,相邻的所述金属单元的开口方向不同。本实用新型的目的在于解决倒装焊受压过程中可能会产生滑移导致相邻两个像元短路,最终形成坏像元的技术问题。
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