用于探测辐射的探测器和成像设备

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专利状态

用于探测辐射的探测器和成像设备

有效

专利申请进度

申请

2022-12-26

授权

2024-01-19

预估到期

2032-12-26

专利基础信息

申请号	CN202223479530.8	申请日	2022-12-26
授权公布号	CN220367424U	授权公告日	2024-01-19
分类号	G01T1/202;G01V5/226;G01N23/10;H01L27/146
分类	测量；测试;
申请人名称	同方威视技术股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区双清路同方大厦A座2层

专利法律状态

2024-01-19

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种用于探测辐射的探测器和包括该探测器的成像设备。探测器包括多排探测器晶体层用于依次探测相同的辐射信号并将多排探测器晶体层各自探测到的所述辐射信号的部分合成以便用于分析所述辐射信号的特性。多排探测器晶体层用于依次探测相同的辐射信号。多排探测器晶体层包括至少第一排探测器晶体层和第二排探测器晶体层，第一排探测器晶体层和第二排探测器晶体层具有不同的层厚。

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