基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池

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专利状态

基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池

有效

专利申请进度

申请

2019-01-15

授权

2019-09-03

预估到期

2029-01-15

专利基础信息

申请号	CN201920059522.7	申请日	2019-01-15
授权公布号	CN209344104U	授权公告日	2019-09-03
分类号	H01L31/054;H01L31/0352;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市南三环路99号

专利法律状态

2019-09-03

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，包括背电极，背电极上设置n型单晶硅，n型单晶硅的表面设置二氧化硅层，二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层设置前电极，n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的非均匀盲孔，非均匀盲孔包括连续设置的第一孔段和第二孔段，第一孔段直径大于第二孔段直径。本实用新型通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节光子的吸收率，显著提高长波波长光子的利用效率进而提高光电转换效率。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。

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