一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法

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专利状态

一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-09-27

申请公布

2017-01-04

授权

1970-01-01

预估到期

2036-09-27

专利基础信息

申请号	CN201610855569.5	申请日	2016-09-27
申请公布号	CN106282925A	申请公布日	2017-01-04
授权公布号	CN106282925B	授权公告日	1970-01-01
分类号	C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58
分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省南京市秦淮区御道街29号

专利法律状态

2018-08-07

发明专利权授予

状态信息

授权
2018-03-20

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):C23C 14/08；专利申请号:2016108555695；变更事项:申请人；变更前:南京航空航天大学；变更后:南京航空航天大学；变更事项:地址；变更前:210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号；变更后:210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号；变更事项:申请人；变更前:中利腾晖光伏科技有限公司；变更后:苏州腾晖光伏技术有限公司
2017-02-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C23C 14/08；申请日:20160927
2017-01-04

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法，利用超薄TiW合金薄膜层作为扩散阻挡层改善TCO薄膜(如掺铟氧化锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)或掺氟氧化锡(FTO)等三种薄膜)与p‑Si等衬底的接触性能；并且通过TiW合金薄膜层的引入作为金属层，与TCO薄膜形成TCO/TiW双层薄膜，使薄膜的电学性能得到明显改善；TCO/TiW透明导电薄膜在显示器、太阳电池等半导体器件中具有巨大应用前景。一种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法，包括：在衬底的表面上沉积TiW合金，形成TiW合金薄膜层/衬底结构；再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物，形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。

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