一种P型晶体硅电池的制备方法

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专利状态

一种P型晶体硅电池的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-07-24

申请公布

2019-12-03

授权

2021-06-01

预估到期

2039-07-24

专利基础信息

申请号	CN201910671610.7	申请日	2019-07-24
申请公布号	CN110534614A	申请公布日	2019-12-03
授权公布号	CN110534614B	授权公告日	2021-06-01
分类号	H01L31/18;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2021-06-01

授权

状态信息

授权
2019-12-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20190724
2019-12-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光；B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO3、H2SO4、NaOH、KOH、TMAH、氨水中的至少一种；E、将经第一溶液处理后的P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；F、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理，所述第二溶液包括HF、HNO3、H2SO4中的至少一种；G、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理。

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