一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池

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专利状态

一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池

有效

专利申请进度

申请

2019-09-24

授权

2020-06-02

预估到期

2029-09-24

专利基础信息

申请号	CN201921593120.1	申请日	2019-09-24
授权公布号	CN210668389U	授权公告日	2020-06-02
分类号	H01L31/0216
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2020-06-02

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，电池正表面的整体复合速率进一步降低，电池转换效率较高。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。

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