一种芯片、芯片阵列结构及封装模块

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专利状态

一种芯片、芯片阵列结构及封装模块

有效

专利申请进度

申请

2020-06-29

授权

2021-02-26

预估到期

2030-06-29

专利基础信息

申请号	CN202021222411.2	申请日	2020-06-29
授权公布号	CN212625592U	授权公告日	2021-02-26
分类号	H01L29/78;H01L23/367
分类	基本电气元件;
申请人名称	佛山市国星光电股份有限公司
申请人地址	广东省佛山市禅城区华宝南路18号

专利法律状态

2021-02-26

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型属于芯片封装技术领域，涉及一种芯片，所述芯片包括位于芯片表面同一侧的源极区和栅极区；其中，所述源极区与所述栅极区之间设置有一阻隔层，所述阻隔层凸出于所述源极区和所述栅极区的表面。本实用新型还提供了具有所述芯片的芯片阵列结构和封装模块。根据本实用新型提供的芯片以及根据所述芯片阵列结构得到的芯片，在芯片上同一侧的源极区与栅极区之间设置阻隔层，可以在芯片的栅极与源极在固晶和固化过程中阻隔银浆的溢散，防止银浆越过源极区与栅极区之间的沟道，避免芯片发生短路，当芯片进行双面封装时，可保证双面封装模组本身的散热特性，使其具有良好的性能表现，而具有所述芯片的封装模块将具有良好的散热特性，性能更佳。

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