一种微发光二极管芯片的转移方法

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专利状态

一种微发光二极管芯片的转移方法

有效

专利申请进度

申请

2018-10-15

申请公布

2019-01-25

授权

2021-02-02

预估到期

2038-10-15

专利基础信息

申请号	CN201811194796.3	申请日	2018-10-15
申请公布号	CN109273565A	申请公布日	2019-01-25
授权公布号	CN109273565B	授权公告日	2021-02-02
分类号	H01L33/00;H01L21/683
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2021-02-02

授权

状态信息

授权
2019-02-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 33/00；专利申请号:2018111947963；申请日:20181015
2019-01-25

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明适用于显示技术领域，提供了一种微发光二极管芯片的转移方法，包括以下步骤：提供中转换基板，中转换基板依次包括中间衬底、多个微发光二极管芯片、多个第一磁性层，以及多个第一结合层；提供接受基板，接受基板依次包括衬底基板、多个第二磁性层、多个第二结合层，以及磁性控制线路；将接受基板与中转换基板对组，使得多个第一磁性层与多个第二磁性层一一对应；对磁性控制线路进行通电，第二磁性层具有磁性，使得第一磁性层与对应的第二磁性层磁吸，并且每一第一结合层与对应的第二结合层能够相互结合，从而将所述微发光二极管芯片转移到所述接受基板上，解决了目前纳米级的微发光二极管芯片难以转移至接受基板上的技术问题。

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