一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统

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专利状态

一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统

有效

专利申请进度

申请

2020-04-20

申请公布

2020-08-18

授权

2023-08-15

预估到期

2040-04-20

专利基础信息

申请号	CN202010313181.9	申请日	2020-04-20
申请公布号	CN111552475A	申请公布日	2020-08-18
授权公布号	CN111552475B	授权公告日	2023-08-15
分类号	G06F8/41;G06F11/10
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	武汉精测电子集团股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路22号

专利法律状态

2023-08-15

授权

状态信息

授权
2020-09-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F8/41；申请日:20200420
2020-08-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统，其中的方法首先输入Workload测试文件；然后对输入的Workload测试文件进行格式识别，其中，Workload测试文件具有多个命令行，命令行用以表示对指定范围内LBA的操作命令，其中LBA表示逻辑块地址；再根据格式识别结果，对输入的Workload测试文件包含的命令行进行解析，生成与命令行对应的二进制数据，所有命令行对应的二进制数据构成Workload测试文件的编译结果。本发明的方法可以提高对Workload测试文件执行效率以及测试效率，以及解决Workload测试文件命令行格式多样性、正确性问题。

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