组合底板及含有该组合底板的多晶硅铸锭炉

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专利状态

组合底板及含有该组合底板的多晶硅铸锭炉

有效

专利申请进度

申请

2017-07-19

申请公布

2017-11-10

授权

2023-08-22

预估到期

2037-07-19

专利基础信息

申请号	CN201710592350.5	申请日	2017-07-19
申请公布号	CN107338473A	申请公布日	2017-11-10
授权公布号	CN107338473B	授权公告日	2023-08-22
分类号	C30B28/04;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号

专利法律状态

2023-08-22

授权

状态信息

授权
2023-08-08

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):C30B28/04；变更事项:申请人；变更前:晶科能源有限公司；变更后:晶科能源股份有限公司；变更事项:地址；变更前:334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号；变更后:334100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号；变更事项:申请人；变更前:浙江晶科能源有限公司；变更后:浙江晶科能源有限公司
2017-12-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B28/04；申请日:20170719
2017-11-10

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种组合底板，包括基板及隔热保温层，所述基板的顶部开设有一填充槽，所述填充槽的槽口边缘与所述基板的顶部边缘重合，所述填充槽的侧壁呈平滑倾斜状，且所述填充槽的槽口的面积大于所述填充槽的底部表面的面积，所述隔热保温层填充于所述填充槽内，以将所述填充槽填平，所述隔热保温层的导热速率小于所述基板的导热速率。本发明另一方面还提供一种多晶硅铸锭炉，包括炉体及设于所述炉体内的坩埚及若干加热器，还包括上述的组合底板，若干所述加热器分别布置于所述坩埚的侧围及顶部，所述坩埚设于所述组合底板的顶部中心，本发明中的组合底板及多晶硅铸锭炉，能够形成均匀热场，抑制了长晶缺陷的繁殖。

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