一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-23

申请公布

2021-03-09

授权

2023-08-22

预估到期

2040-11-23

专利基础信息

申请号	CN202011323754.2	申请日	2020-11-23
申请公布号	CN112466967A	申请公布日	2021-03-09
授权公布号	CN112466967B	授权公告日	2023-08-22
分类号	H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西

专利法律状态

2023-08-22

授权

状态信息

授权
2023-07-21

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L31/0224；变更事项:申请人；变更前:浙江晶科能源有限公司；变更后:浙江晶科能源有限公司；变更事项:地址；变更前:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西；变更后:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西；变更事项:申请人；变更前:晶科能源有限公司；变更后:晶科能源股份有限公司
2021-03-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/0224；申请日:20201123
2021-03-09

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层；利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，以将位于第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于第一掺杂层的第二掺杂层。此外，本发明实施例还提供一种选择性发射极太阳能电池。本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池及其制备方法，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信