单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质

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专利状态

单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2021-02-26

申请公布

2022-08-30

授权

2023-07-21

预估到期

2041-02-26

专利基础信息

申请号	CN202110221238.7	申请日	2021-02-26
申请公布号	CN114959882A	申请公布日	2022-08-30
授权公布号	CN114959882B	授权公告日	2023-07-21
分类号	C30B15/20;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	江西省上饶市经济开发区晶科大道1号

专利法律状态

2023-07-21

授权

状态信息

授权
2022-09-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B15/20；申请日:20210226
2022-08-30

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，该方法包括：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；根据放肩角度、放肩工序中起始的直径以及晶体的平均拉速，生成放肩角度对应的触发直径阈值；检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。本发明实施例解决了转肩工序结束后单晶硅的直径与目标直径误差大的问题以及单晶硅的制造效率低的问题。

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