晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质

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专利状态

晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2021-03-03

申请公布

2022-09-09

授权

2023-06-16

预估到期

2041-03-03

专利基础信息

申请号	CN202110235676.9	申请日	2021-03-03
申请公布号	CN115029772A	申请公布日	2022-09-09
授权公布号	CN115029772B	授权公告日	2023-06-16
分类号	C30B15/28;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	江西省上饶市经济开发区晶科大道1号

专利法律状态

2023-06-16

授权

状态信息

授权
2022-09-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B15/28；申请日:20210303
2022-09-09

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供一种晶体硅的制备方法，包括：获取关系模型，其中，所述关系模型的变量因子包括晶体的重量、晶体的长度、垂直于晶体提拉方向的截面的直径；获取晶体生长过程中的收尾工序中多个时刻下的晶体的重量和晶体的长度；其中，对于所述多个时刻中的每一时刻，基于晶体的当前重量、晶体的当前长度以及所述关系模型，计算晶体的当前直径；检测所述晶体的当前直径是否达到预设阈值；若检测到所述晶体的当前直径达到预设阈值，结束所述收尾工序。本发明实施例有利于对收尾过程中晶体的状态进行准确的估计，从而稳定、准确且高效地完成收尾工序。

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