一种基于NMOS管的宽电压输入的直流降压电路

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专利状态

一种基于NMOS管的宽电压输入的直流降压电路

有效

专利申请进度

申请

2019-08-31

授权

2020-08-28

预估到期

2029-08-31

专利基础信息

申请号	CN201921435786.4	申请日	2019-08-31
授权公布号	CN211377896U	授权公告日	2020-08-28
分类号	H02M3/156
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	南京伟思医疗科技股份有限公司
申请人地址	江苏省南京市雨花台区宁双路19号9栋

专利法律状态

2020-08-28

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于NMOS管的宽电压输入的直流降压电路，包括：NMOS管和依次串联的稳压电路、滤波电路和稳压芯片，其中NMOS管和稳压电路形成并联关系本实用新型结构简单、所用元器件少、体积小、成本低，且本实用新型通过选择合适的NMOS管，能够实现高达120V的直流降压，且能提供20ma以上的电流驱动能力。

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