电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法

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专利状态

电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法

有效

专利申请进度

申请

2016-09-23

申请公布

2017-03-15

授权

2019-07-09

预估到期

2036-09-23

专利基础信息

申请号	CN201610843153.1	申请日	2016-09-23
申请公布号	CN106501340A	申请公布日	2017-03-15
授权公布号	CN106501340B	授权公告日	2019-07-09
分类号	G01N27/414
分类	测量；测试;
申请人名称	上海小海龟科技有限公司
申请人地址	上海市宝山区江南路180号B303

专利法律状态

2019-07-09

授权

状态信息

授权
2017-04-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/414申请日:20160923
2017-03-15

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法。本发明中，一种用于与金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET配合对待测物的电容或离子活度进行检测的电极包括：绝缘基底以及形成在所述绝缘基底上的叉指电极；所述叉指电极包括第一电极和第二电极；至少在所述第一电极的表面覆盖有第一离子敏感膜；至少在所述第二电极的表面上覆盖有第二离子敏感膜。通过本发明提供的电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法，实现了将电极和金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET分开制作，有效减小了电极与硅片之间的寄生电容，从而提高了对待测物离子活度或电容检测结果的准确性。

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