用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法

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专利状态

用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法

有效

专利申请进度

申请

2015-10-13

申请公布

2016-02-03

授权

2019-10-15

预估到期

2035-10-13

专利基础信息

申请号	CN201510657858.X	申请日	2015-10-13
申请公布号	CN105301079A	申请公布日	2016-02-03
授权公布号	CN105301079B	授权公告日	2019-10-15
分类号	G01N27/414
分类	测量；测试;
申请人名称	上海小海龟科技有限公司
申请人地址	上海市宝山区长江南路180号B303室

专利法律状态

2023-07-14

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

状态信息

专利权质押合同登记的生效；IPC(主分类):G01N 27/414；专利号:ZL201510657858X；登记号:Y2023310000297；登记生效日:20230626；出质人:上海小海龟科技有限公司；质权人:上海农村商业银行股份有限公司奉贤支行；发明名称:用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法；申请日:20151013；授权公告日:20191015
2023-07-14

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

状态信息

专利权质押合同登记的生效；IPC(主分类):G01N27/414；登记号:Y2023310000297；登记生效日:20230626；出质人:上海小海龟科技有限公司；质权人:上海农村商业银行股份有限公司奉贤支行；发明名称:用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法；申请日:20151013；授权公告日:20191015
2019-10-15

授权

状态信息

授权
2016-03-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01N27/414；申请日:20151013
2016-02-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法，所述的半导体器件包括衬底、设置于衬底上的源极、漏极，所述的半导体器件还包括对所述的待测物的离子活度的灵敏度不同的第一离子敏感膜与第二离子敏感膜，且所述的待测物设置于所述的第一离子敏感膜与所述的第二离子敏感膜之间，所述的第一离子敏感膜设置于所述的衬底上，所述的第二离子敏感膜与栅电源相连接，在一种优选的实施方式中还引入了梳齿电容。采用该种结构的用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法，省略了参比电极，引入了两个不同的离子敏感膜，准确地测量出待测物的离子活度，结构简单，成本低，具有较广泛的应用范围。

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