用于半导体激光器的快轴准直透镜及光发射系统

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专利状态

用于半导体激光器的快轴准直透镜及光发射系统

有效

专利申请进度

申请

2021-06-17

授权

2022-02-08

预估到期

2031-06-17

专利基础信息

申请号	CN202121350841.7	申请日	2021-06-17
授权公布号	CN215769087U	授权公告日	2022-02-08
分类号	G02B3/06;G02B27/30;G01S7/481
分类	光学;
申请人名称	上海禾赛科技有限公司
申请人地址	上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼

专利法律状态

2022-02-08

授权

状态信息

授权

摘要

一种用于半导体激光器的快轴准直透镜及光发射系统，快轴准直透镜包括：基部，所述基部具有第一面；第一快轴准直部，所述第一快轴准直部位于所述第一面上，所述第一快轴准直部的折射率与所述基部的折射率不同；所述第一快轴准直部适宜于透射所述半导体激光器所产生的光束并压缩所述光束在第一方向上的发散角。本实用新型可以根据具体光路设计选择合适的第一快轴准直部和所述基部的材料，能够有效提高设置的灵活性，突破快轴准直透镜对光路设计的限制，有利于装配难度的降低和准直效果的改善。

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