获取光电二极管的击穿电压的电路及方法

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专利状态

获取光电二极管的击穿电压的电路及方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-10

申请公布

2021-04-23

授权

2023-02-24

预估到期

2040-12-10

专利基础信息

申请号	CN202011457662.3	申请日	2020-12-10
申请公布号	CN112702021A	申请公布日	2021-04-23
授权公布号	CN112702021B	授权公告日	2023-02-24
分类号	H03F1/26;H03F3/08;H03F3/68
分类	基本电子电路;
申请人名称	上海禾赛科技有限公司
申请人地址	上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼

专利法律状态

2023-02-24

授权

状态信息

授权
2021-04-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种获取光电二极管的击穿电压的电路，包括：控制器，配置为输出电压控制信号；电压生成单元，耦接到所述控制器以接收所述电压控制信号，并根据所述电压控制信号输出供电电压，其中所述供电电压包括电压序列，所述电压序列包括依次升高的多个高电压，所述供电电压可耦接到所述光电二极管的其中一极；和跨阻放大电路，其输入端可耦接到所述光电二极管的另一极，其输出端耦接到所述控制器，并配置为输出第一电压信号；其中，所述控制器被配置为基于所述供电电压和所述跨阻放大电路输出的第一电压信号来确定所述光电二极管的击穿电压。基于上述电路，可快速准确获取光电二极管的击穿电压，缩短了测量时间，提高了测量效率。

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