一种P-MOS控制输出电压压降调节电路

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专利状态

一种P-MOS控制输出电压压降调节电路

有效

专利申请进度

申请

2021-08-26

授权

2022-04-08

预估到期

2031-08-26

专利基础信息

申请号	CN202122031569.2	申请日	2021-08-26
授权公布号	CN216252507U	授权公告日	2022-04-08
分类号	H02M1/00
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	东莞市奥源电子科技有限公司
申请人地址	广东省东莞市长安镇振安科技工业园A7厂房

专利法律状态

2022-04-08

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及电源输出电路技术领域，尤其涉及一种P‑MOS控制输出电压压降调节电路。采用如下技术方案：包括电压检测电路和压降控制电路，所述电压检测电路由一过压开关电路和分压输出电路串联组成，电压检测电路连接于MOS管的D极和电路接地端之间，分压输出电路控制连接压降控制电路，压降控制电路输出连接至MOS管的G极。优点在于：通过利用稳压二极管作为过压检测，并配合两个三极管作为压降控制，当输出电压过高时，会触发稳压二极管和三极管导通，使P‑MOS管的压降增大，输出电压降低，而当输出电压继续降低时，则会导致稳压二极管和两个三极管关断，使P‑MOS管的栅极和源极之间的压差增大，从而压降降低，输出电压升高，实现对输出电压的有效调节。

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