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专利状态

功率MOSFET驱动电路

有效

专利申请进度

申请

2014-11-28

授权

2015-04-29

预估到期

2024-11-28

专利基础信息

申请号	CN201420728961.X	申请日	2014-11-28
授权公布号	CN204304964U	授权公告日	2015-04-29
分类号	H03K17/567
分类	基本电子电路;
申请人名称	东莞市奥源电子科技有限公司
申请人地址	广东省东莞市长安镇振安科技工业园A7厂房

专利法律状态

2015-04-29

授权

状态信息

授权

摘要

功率MOSFET驱动电路，涉及MOSFET驱动技术领域，其包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、电阻R3、R4、R5和R7，第一MOSFET源极和漏极与电阻R7串联后连接在+12V电源和地之间，第一MOSFET的栅极作为本驱动电路的输入端，第二MOSFET源极和漏极与电阻R4串联后连接在+12V电源和地之间，第二MOSFET的栅极一路连接于第一MOSFET和电阻R7的接点，另一路经由电阻R3接地，电阻R5一端连接+12V电源，另一端连接第三MOSFET的漏极，第三MOSFET的源极作为本驱动电路的输出端连接被驱动的功率MOSFET的栅极，第三MOSFET的栅极连接于第二MOSFET和电阻R4的接点。

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