低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路

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专利状态

低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路

有效

专利申请进度

申请

2020-07-31

授权

2021-05-14

预估到期

2030-07-31

专利基础信息

申请号	CN202021566186.4	申请日	2020-07-31
授权公布号	CN213213346U	授权公告日	2021-05-14
分类号	H02M7/217;H02M3/335;H02M3/155;H02M1/14;G09G3/32
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	东莞市奥源电子科技有限公司
申请人地址	广东省东莞市长安镇振安科技工业园A7栋

专利法律状态

2021-05-14

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其是指一种低压大电流正激拓扑同步整流驱动电路。包括变压器T1及设置于变压器T1的绕组N1，还包括三极管组U5A和二极管组U4，该三极管组U5A设置有接口1、接口2、接口3、接口4、接口5和接口6，该二极管组U4设置有接口7、接口8、接口9和接口10。为改善目前低压大电流正激同步整流变压器副边绕组自驱方案因整流管和续流管之间死区时间短，使续流MOS管导通不足造成MOS管较大的损耗，出现效率低温度高的现象。在正激自驱同步整流方案中增加驱动控制线路，增加正激同步整流（整流管及续流管的死区时间）使续流MOS管在工作过程中完全导通，降低MOS管的损耗，提升效率。

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