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专利状态
一种基于变压器组的多晶硅还原炉
有效
专利申请进度
申请
2020-09-27
授权
2021-04-13
预估到期
2030-09-27
专利基础信息
申请号 CN202022158081.1 申请日 2020-09-27
授权公布号 CN212967378U 授权公告日 2021-04-13
分类号 H01F27/30;C01B33/021
分类 基本电气元件;
申请人名称 海南金盘智能科技股份有限公司
申请人地址 海南省海口市南海大道168-39号
专利法律状态
  • 2021-04-13
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型公开了一种基于变压器组的多晶硅还原炉,包括多晶硅还原炉本体,以及与多晶硅还原炉本体连接的三相变压器组;三相变压器组包括三台单相变压器,任一单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元,左柱变压单元的高压绕组与右柱变压单元的高压绕组并联连接;三个单相变压器之间角接,三相变压器组中各个低压绕组相互独立。通过三个单相变压器相互角接的方式可以连接成符合要求的三相变压器组,在满足多晶硅还原炉本体正常工作的前提下,重量和尺寸大大降低,制造难度和运输受限问题得到彻底解决。