半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器

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专利状态

半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器

有效

专利申请进度

申请

2009-05-06

申请公布

2010-11-10

授权

2012-12-12

预估到期

2029-05-06

专利基础信息

申请号	CN200910136518.7	申请日	2009-05-06
申请公布号	CN101882750A	申请公布日	2010-11-10
授权公布号	CN101882750B	授权公告日	2012-12-12
分类号	H01S3/14;H01S3/16;H01S3/10;H01S3/101;H01S3/11;H01S3/042;H01S3/081;H01S3/09
分类	基本电气元件;
申请人名称	华工科技产业股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园

专利法律状态

2017-07-25

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01S3/14；登记生效日:20170705；变更事项:专利权人；变更前:武汉华工激光工程有限责任公司；变更后:华工科技产业股份有限公司；变更事项:地址；变更前:430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园；变更后:430075 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园
2017-07-25

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01S3/14；变更事项:发明人；变更前:卢飞星闵大勇；变更后:卢飞星
2012-12-12

授权

状态信息

授权
2010-12-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01S 3/14申请日:20090506
2010-11-10

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器。第一泵浦源LD与第一耦合聚焦系统之间、第二泵浦源LD与第二耦合聚焦系统之间分别通过光纤连接；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统输出的激光分别入射到所述增益介质；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统与增益介质之间分别设有第一折反镜和第二折反镜；第一折反镜的反射光路上设有热透镜补偿全反镜；第二折反镜的反射光路上设有调Q开关和全反镜；增益介质外侧设有第一温度控制装置和第二温度控制装置，分别用于控制与增益介质的a轴垂直的所有表面和与增益介质的c轴垂直的所有表面的温度。本发明的激光器功率大、效率高且发出的光束质量优良。

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