突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2012-12-26

申请公布

2013-04-17

授权

2016-05-04

预估到期

2032-12-26

专利基础信息

申请号	CN201210573786.7	申请日	2012-12-26
申请公布号	CN103050565A	申请公布日	2013-04-17
授权公布号	CN103050565B	授权公告日	2016-05-04
分类号	H01L31/109;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	华工科技产业股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞瑜路243号华工科技产业大厦A座12楼

专利法律状态

2016-05-04

授权

状态信息

授权
2013-05-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/109申请日:20121226
2013-04-17

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法，该背光探测器由底部至上部依次包括有n⁺-InP衬底、高浓度掺杂的n-InP过渡层、中等浓度掺杂的n-InP缓冲层、非故意掺杂的InGaAs光吸收层、扩锌的P-InP覆盖层、P⁺-InGaAs电接触层及SiO₂保护层，该覆盖层与电接触层内形成有浅沟刻蚀区，该浅沟刻蚀区下方位于该光吸收层内形成有氢离子注入高阻区，在该SiO₂保护层上设有环状的金属电极，该金属电极包围该浅沟刻蚀区，该金属电极外围设有金属挡光层。本发明的浅沟栅状氢离子高阻隔离区可有效减少光敏区的面积和PN结电容，达到减小光脉冲信号的开启延迟和光关断后的电脉冲拖尾。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信