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专利状态

双面SiP的三维封装结构

有效

专利申请进度

申请

2017-09-25

申请公布

2018-03-02

授权

2019-11-01

预估到期

2037-09-25

专利基础信息

申请号	CN201710874462.X	申请日	2017-09-25
申请公布号	CN107749411A	申请公布日	2018-03-02
授权公布号	CN107749411B	授权公告日	2019-11-01
分类号	H01L25/16;H01L23/538;H01L23/485;H01L23/31
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号

专利法律状态

2019-11-01

授权

状态信息

授权
2018-03-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/16
2018-03-02

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种双面SiP的三维封装结构，它包括核心转接板（1），所述核心转接板（1）正面贴装有扇出型晶圆级封装结构（2）和第一被动元件（3），所述扇出型晶圆级封装结构（2）和第一被动元件（3）外围设置有第一3D导电部件（4），第一3D导电部件（4）正面露出于第一塑封料（5），所述所述核心转接板（1）背面贴装有芯片（7）和第二被动元件（8），所述芯片（7）和第二被动元件（8）外围设置有第二3D导电部件（6），所述第二3D导电部件（6）背面露出于第二塑封料（9）。本发明能够使用预制的窄中心距3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，可以降低封装模组的尺寸高度，提高封装模组的高频性能以及高度设计和翘曲控制的灵活性。

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