一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路

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专利状态

一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路

有效

专利申请进度

申请

2021-08-12

授权

2022-03-25

预估到期

2031-08-12

专利基础信息

申请号	CN202121885025.6	申请日	2021-08-12
授权公布号	CN216133171U	授权公告日	2022-03-25
分类号	G01R31/36
分类	测量；测试;
申请人名称	浙江中力机械股份有限公司
申请人地址	浙江省湖州市安吉县递铺镇霞泉村

专利法律状态

2022-03-25

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种带温度补偿的通过MOSFET内阻采集电流的电路，包括MOSFET、电流采集单元和温度补偿单元；其中，电流采集单元与MOSFET的源极连接，温度补偿单元与MOSFET的漏极连接；温度补偿单元包括第一电阻及与其串联的二极管，第一电阻的一端与电源连接，另一端连接二极管的正极端，二极管的负极端与MOSFET的漏极连接；电流采集电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻及运算放大器，第二电阻的一端与MOSFET的源极连接，另一端与运算放大器的第一输入端连接；第三电阻的一端接地，另一端与运算放大器的第二输入端连接，第四电阻并联于运算放大器的第二输入端和运算放大器的输出端之间。通过二极管PN结的线性温度关系来补偿MOSFET内阻随温度变化导致采集电流不准确的问题。

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