非制冷红外成像探测器安装结构及光电跟踪系统

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专利状态

非制冷红外成像探测器安装结构及光电跟踪系统

有效

专利申请进度

申请

2018-04-25

授权

2019-02-12

预估到期

2028-04-25

专利基础信息

申请号	CN201820597470.4	申请日	2018-04-25
授权公布号	CN208488002U	授权公告日	2019-02-12
分类号	F41G1/46;F41G3/00
分类	武器;
申请人名称	武汉高德红外股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号

专利法律状态

2019-02-12

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种非制冷红外成像探测器安装结构，非制冷探测器与第一接插件分别安设于第一印制电路板的两个板面上，第二接插件安设于第二印制电路板上，第一印制电路板与第二印制电路板分别固定于探测器支架的相对的两个面部上，第一接插件与第二接插件对接。另外还涉及一种光电跟踪系统，包括上述的该非制冷红外成像探测器安装结构。通过将第一印制电路板和第二印制电路板分别安装在探测器支架的前面和反面，能够最大限度地保证非制冷红外探测器和两印制电路板的安装精度，使得两印制电路板之间的接插件连接结构更为牢固可靠，避免因冲击振动导致电路板之间的接插件连接松脱等情况，保证图像信号的传输质量。

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