• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法
有效
专利申请进度
申请
2022-06-29
申请公布
2022-07-29
授权
2022-11-04
预估到期
2042-06-29
专利基础信息
申请号 CN202210745738.5 申请日 2022-06-29
申请公布号 CN114817843A 申请公布日 2022-07-29
授权公布号 CN114817843B 授权公告日 2022-11-04
分类号 G06F17/15ICN106777988A,2017.05.31;CN110083964A,2019.08.02;CN110880357A,2020.03.13袁俊辉.忆阻器材料与阻变机理的理论研究.《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士)信息科技辑》.2022,I135-39.;孙伟峰.(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格原子链的第一原理研究.《物理学报》.2012,第61卷(第11期),全文.
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 武汉高德红外股份有限公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号
专利法律状态
  • 2022-11-04
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-07-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种超晶格红外探测材料的能带结构计算方法,包括如下步骤:确定所需优化的元素种类以及半导体种类;利用密度泛函计算各半导体的晶格常数,调节泛函参数或/和元素的赝势和基组,实现各半导体的晶格常数的优化,使计算出的各半导体的晶格常数满足设定要求,确定对应的泛函参数以及各元素的赝势和基组;基于以上步骤优化得到的泛函参数以及各元素的赝势、基组,计算超晶格红外探测材料的能带结构。本发明可以实现各种超晶格红外探测材料的能带结构的精确计算。