申请号 | CN202210745738.5 | 申请日 | 2022-06-29 |
申请公布号 | CN114817843A | 申请公布日 | 2022-07-29 |
授权公布号 | CN114817843B | 授权公告日 | 2022-11-04 |
分类号 | G06F17/15ICN106777988A,2017.05.31;CN110083964A,2019.08.02;CN110880357A,2020.03.13袁俊辉.忆阻器材料与阻变机理的理论研究.《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士)信息科技辑》.2022,I135-39.;孙伟峰.(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格原子链的第一原理研究.《物理学报》.2012,第61卷(第11期),全文. | ||
分类 | 计算;推算;计数; | ||
申请人名称 | 武汉高德红外股份有限公司 | ||
申请人地址 | 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号 |