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专利状态
一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置
有效
专利申请进度
申请
2018-03-16
授权
2019-05-17
预估到期
2028-03-16
专利基础信息
申请号
CN201820360061.2
申请日
2018-03-16
授权公布号
CN208869723U
授权公告日
2019-05-17
分类号
C30B33/02;C30B29/46
分类
晶体生长〔3〕;
申请人名称
武汉高德红外股份有限公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号
专利法律状态
2019-05-17
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置,所述的样品装置架包括样品架主体、蒸汽罩、固定装置、粉末槽、封口盖、方槽,样品架主体位于蒸汽罩内,通过固定装置与蒸汽罩固定,粉末槽位于样品架主体上,封口盖与粉末槽相对应,方槽位于粉末槽下方,并位于样品架主体上,组装后只有样品架底座与蒸汽罩是密封部位,其他位置都处于一个整体的石墨蒸汽罩内,减少了汞蒸汽泄漏部位,并且HgCdTe外延片的放置方式是竖直的,处理相同规格和数量的外延片可减小样品架的尺寸,密封部位尺寸将进一步减少,能更好地提高石墨样品架装置的密封性能,可减少HgTe粉末量的使用,节约了能源,保护了环境。
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