一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及加工方法

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专利状态

一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及加工方法

有效

专利申请进度

申请

2017-12-27

申请公布

2018-07-24

授权

2020-05-26

预估到期

2037-12-27

专利基础信息

申请号	CN201711450808.X	申请日	2017-12-27
申请公布号	CN108313973A	申请公布日	2018-07-24
授权公布号	CN108313973B	授权公告日	2020-05-26
分类号	B81B7/00;B81C1/00;G01J5/20
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	武汉高德红外股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区武汉市东湖开发区黄龙山南路6号

专利法律状态

2020-05-26

授权

状态信息

授权
2018-08-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/00
2018-07-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构，包括读出电路以及位于读出电路的上表面的真空室阵列，真空室阵列包括多个由绝缘沟槽间隔的真空室，每个真空室内收纳有一个像素单元器件，构成像素级封装单元，所述真空室的内部侧壁覆有吸气剂，形成吸气侧壁，本发明将每个像素封装为独立的个体，相互之间不影响，利用侧壁大大增加了吸气剂的面积，以维持腔体内的真空度，延长器件的使用寿命。

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