一种高复合效率的LED外延结构

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专利状态

一种高复合效率的LED外延结构

有效

专利申请进度

申请

2015-05-20

申请公布

2017-01-04

授权

2018-08-03

预估到期

2035-05-20

专利基础信息

申请号	CN201510258289.1	申请日	2015-05-20
申请公布号	CN106299056A	申请公布日	2017-01-04
授权公布号	CN106299056B	授权公告日	2018-08-03
分类号	H01L33/06;H01L33/32
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号

专利法律状态

2018-08-03

授权

状态信息

授权
2017-02-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/06申请日:20150520
2017-01-04

公布

状态信息

公开

摘要

一种高复合效率的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区从下至上包括阱层和复合垒层，复合垒层和阱层交替生长。所述复合垒层包括Si掺杂垒层和Si&Mg&Si掺杂垒层。本发明用在复合垒层中再掺杂Si&CP2Mg垒层，通过改变垒层Si&CP2Mg的掺杂浓度降低复合垒层的粗糙度并将复合垒层能级变得平滑，使得空穴传送更加容易，从而提高辐射复合几率，降低极化效应，增强LED出光效率。

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